眾所周知，IGBT是創統科技產品EPS應急電源和SPS岸電電源的核心部件，但又有多少人對該部件有深一步的了解呢，以下本公司向各位闡述一下該部件國內的發展近況：目前，世界各大功率半導體公司對IGBT的研究步伐和技術革新日益加快，IGBT芯片的設計與生產廠家有英飛凌(Infineon)、 ABB、三菱(Mitsubishi Electric)、Dynex(中國南車，CSR)、IXYS Corporation、International Rectifier、Powerex、Philips、Motorola、Fuji Electric、Hitachi、Toshiba等，主要集中在歐、美、日等國家。國內在IGBT技術研究和產業化方面尚處于起步階段，作為全球最大的IGBT應用市場，IGBT模塊主要依賴進口。近年來，在國家宏觀政策的引導和組織下，國內企業通過各種途徑在IGBT芯片、模塊等領域已經取得很多可喜的進展，中國南車通過并購英國Dynex半導體，充分利用歐洲豐富的技術資源，成立功率半導體海外研發中心，迅速掌握了先進的1200V-6500V IGBT芯片設計、工藝制造及模塊封裝技術，并且在株洲建設了一條先進的8英寸IGBT芯片及其封裝生產線，并于2014年初實現IGBT芯片量產。

IGBT的工藝水平也在不斷提升，許多先進工藝技術，如離子注入、精細光刻等被應用到IGBT制造上。IGBT芯片制造過程中的最小特征尺寸已由5um，到3um，到1um，甚至達到亞微米的水平。采用精細制造工藝可以大幅提高功率密度，同時可以降低結深，減小高溫擴散工藝，從而使采用12英寸甚至更大尺寸的硅片來制造IGBT成為可能。隨著薄片與超薄片加工工藝的發展，英飛凌在8英寸硅片上制造了厚度只有40um的芯片樣品，不久的未來有望實現產品化應用。

隨著IGBT芯片技術的不斷發展，芯片的最高工作結溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術還將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面不斷改進，有望將無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板等先進封裝理念及技術結合起來，將芯片的上下表面均通過燒結或壓接來實現固定及電極互連，同時在模塊內部集成更多其他功能元件，如溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。