為了變流器可靠并聯，分析應急電源中的IGBT開關過程是十分必要。IGBT的開通和關斷過程曲線見圖1。

開通過程由4部分時間組成：

（1）從外加驅動脈沖到柵-射電壓充電到U_GEth，稱為開通延遲時間t_d；

（2）集電極電流從0到90%穩態值稱為電流上升時間t_ri，在t_d、t_ri時間內，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數規律上升；

（3）MOSFET工作時漏-源電壓下降時間稱為t_fv1；

（4）MOSFET和GTR晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間稱為t_fv2，在t_fv1、t_fv2這一時間段內MOSFET開通，流過對GTR的驅動電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導通后驅動過程結束。柵-射極電壓再次按指數規律上升到外施柵極電壓值。

從開通過程來看，IGBT可看作MOSFET驅動的GTR，其開通過程大部分時間是作為MOSFET來運行，其余時間作為MOSTET和GTR共同運行。

相應地，IGBT關斷過程也可分為四個階段：

（1）向柵極施加負壓，MOSFET輸入電容放電，內部PNP晶體管仍然導通，在最初階段里，關斷的延遲時間t_d和電壓U_CE的上升時間t_rv；

（2）集電極電流下降到到10%穩態值稱為電流下降時間t_ri；

（3）MOSFET的關斷過程用t_fi1表示；

（4）t_fi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定，此時已建立了漏源電壓，下降時間越短越好。